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因而工作电源向低电压发展

更新时间:2018-11-14 02:35

  

  在所有的电子设备和产品中,都不乏电源管理IC的“身影”。随着数字高速IC技术和芯片制造工艺技术的共同高速发展,高性能电源IC“助阵”的作用显得愈加重要。而日新月异的电子产品应用、环保绿色节能需求的兴起也对电源IC提出了更高的要求,催生新一代高集成度、高性能和高能效电源管理IC的需求,亦成为SNJ54LS14J厂商永恒的使命。 电源管理半导体从所包含的器件来说,明确强调电源管理集成电路(SNJ54LS14J,简称电源管理芯片)的位置和作用。电源管理半导体包括两部分,即电源管理集成电路和电源管理分立式半导体器件。 电源管理集成电路包括很多种类别,大致又分成电压调整和接口电路两方面。电压凋整器包含线性低压降稳压器(即LOD),以及正、负输出系列电路,此外不有脉宽调制(PWM)型的开关型电路等。 因技术进步,集成电路芯片内数字电路的物理尺寸越来越小,因而工作电源向低电压发展,一系列新型电压调整器应运而生。电源管理用接口电路主要有接口驱动器、马达驱动器、功率场效应晶体管(MOSFET)驱动器以及高电压/大电流的显示驱动器等等。

  传感器内部构成图- AMR传感器是将AMR元素和将其信号转换乘数字信号的IC集成在一体的产品。 由输入端(VDD),GND端(VSS),输出端(VOUT)3端子构成。 为了降低消耗电流采用间歇采样电路。 -防止间歇电震- 为防止间歇电震,设有磁滞区域。 (间歇电震:继电器或开关的触点发生切换的时候,由于非常快速且微小的机械振动会导致发生电子信号断续,这也是造成电路发生错误的原因之一。) 当传感器接近磁铁时,磁场强度超过MOP时,VOUT从H变为L。 当传感器远离磁铁时,磁场强度低于MRP时,VOUT从L变为H。

  问题是,ROM明明叫只读存储器,也就是不可写的存储器,现实是除了掩膜ROM是不可写的外,PROM、EPROM、EEPROM事实上都是可写的。它们的名称中还带有“ROM”是名不副实的叫法。掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM这几种存储器的共同特点其实是掉电后,所存储的数据不会消失,所以可以归类为非易失性存储器(即Non-Volatile Memory)。

  MagnTek的编码位置SNJ54LS14JIC基于高精度磁场检测技术,为工业、、机器人、汽车和消费领域应用提供广泛的高性能的旋转角度的和相对位置的SNJ54LS14J。并提供各种数字和模拟输出方式,我们的专利技术能使编码位置传感器免受外部杂散磁场的影响,实现更稳定且更低系统成本的解决方案。MagnTek的编码位置传感IC采用的高精度磁场检测技术配合解码芯片使用,能使角度检测的精度达到0.5%;小3*3mm的封装,能适应大多数场合的外形尺寸要求。同时使用寿命无限次,适用的温度范围达到-40~+150度,具有传统模拟量输出和I2C,SPI,PWM等多种输出接口。 MagnTek的编码位置传感器IC可广泛应用于面向新能源交通工具的交流异步电机和永磁同步电机的控制,以及伺服控制系统,无人机和机器人控制等各大领域。有效提升系统的可靠性和使用效率。为国家节能减排等领域做出贡献

  我国功率半导体分立器件制造行业的第三梯队主要由大量的器件封装企业组成,由于缺乏芯片设计制造能力,第三梯队在我国半导体分立器件市场上的利润空间低,竞争比较激烈。 产业发展存在的问题 半导体分立器件产能的跨国转移,既为我国半导体分立器件产业的发展提供了重要契机,同时也带来了较大的外部冲击。尽管我国半导体分立器件产业起步较早,但企业规模不大,分布零散,受资金及技术水平限制,在高端半导体分立器件领域尚未形成规模效应和集聚效应,仍以“代工”模式为主,国际厂商仍占据我国高附加值分立器件市场的优势地位,且不断扩张业务规模,在产品价格、种类、技术创新、新产品开发、成本、供货及时性等各个方面加强实力,计划在我国扩大生产规模,建立研发中心,获取更多优势,与行业内的本土企业展开竞争。

  SRAM、DRAM的共同特点是掉电后数据会丢失,所以也可称为易失性存储器(Volatile memory)。

  后来出现的Flash Memory(快闪存储,简称闪存),掉电后数据也不容易丢失,所以也属于非易失性存储器。Flash Memory的名称中已经不带ROM字样了,但是传统的分类方法中,还是把Flash Memory归类为ROM类,事实上此时是因为这些存储器都是非易失的。

  在SNJ54LS14J的设计上,电感和电容器的选择特別重要,必须充分理解电路工作、电流路径、各器件担负什么工作或任务,才能选择合适的电感和电容。本文从思考步骤、计算公式、实例上给出了如何为降压型DC/DC转换器选择合适的电感和电容。 电感的选择 在设计降压型SNJ54LS14J时,电感的选择很重要。性能或特性视其选择而有极大的影响。电感的选择步骤或电感值等的计算方法基本上标示于利用电源IC的技术规格。 电感的选定步骤 首先,介绍电感选定的步骤。 1)计算必要的电感值L 2)计算流向电感的大电流(输出电流+1/2纹波电流) 3)根据已计算的L值(或近似)选择已计算电感饱和电流的大电流以上的电感 (注意:在短路或瞬态状态下计算出可能会流出的大值以上的电流,因此有以大开关电流为基础来选择的方法)

  半导体分立器件是电子电路的基础元器件,是各类电子产品线路中不可或缺的重要组件。分立器件可广泛应用于各类电子产品,其下游应用市场可略分如下:家用电器、电源及充电器、绿色照明、网络与通信、汽车电子、智能电表及仪器等。以下将从下游应用市场来分析半导体分立器件产品的需求情况。 1、家用电器领域 半导体分立器件可以对驱动家用电器的电能进行控制和转换,是家用电器的关键零部件,直接影响到家用电器的性能和品质。在我国家用电器整体升级、市场扩展的大背景下,半导体分立器件将随着家电行业的发展而具有稳定的市场发展前景。

  令人纠结的是,有一种新的存储器,它既是非易失的,同时又是能够高速随时读写数据的,也就是说能够随机存取的。这种存储器就是FRAM(Ferroelectric Random ess Memory:铁电随机存取存储器,简称铁电存储器)。把FRAM归类为非易失性存储器是可以,但是FRAM的高速读写性质又与SRAM、DRAM更为接近,它也是一种RAM。

  于是,存储器的分类令人纠结。传统的分为RAM与ROM的方式本来就不科学。如果分成RAM与非易失性存储器这两大类,也不科学,因为这个分类本身就不是按同一个标准分的,导致FRAM即属于RAM,又属于非易失性存储器。如果只分成易失性存储器和非易失性存储器,又导致FRAM与SRAM、DRAM分家,大家都有RAM嘛,凭什么分开是吧。

  Vicor针对新铁路运输及基础设施应用发布新一代DCM,其所采用的一系列宽输入范围(43-154V输入)3623(36x23毫米)ChiP支持高达240W的功率以及高达93%的效率。 现代铁路基础设施需要各种SNJ54LS14J,为货运及客运市场提供各种不同的全新服务。客运轨道交通系统需要能够支持家庭信息娱乐的移动办公通信功能,而货运铁路系统则需要监控及控制功能,才能确保车上所有货品的运输安全性和及时性。同时,不论是车载安全系统还是站上安全系统,客运和货运车辆都需要可靠的高性能电源系统,以确保安全性并满足安保措施的要求。当然,磁力传感器很少会单独出现在应用场合,更多的时候是配合加速度传感器、GPS设备等应用。据此,Freescale也推出了6轴传感器产品,3D加速度传感器(±2g/±4g/±8g)+3D磁力计FXOS8700CQ。 FXOS8700CQ6轴Xtrinsic传感器在小型3x3x1.2mmQFN塑料封装中结合了业界的加速度传感器和磁力传感器。这款产品将14位加速度传感器和16位磁力计与高性能ASIC结合在一起构建电子罗盘解决方案,典型的方向分辨率为0.1度,罗盘方位精度误差小于5度,可满足大部分应用。 DCM是一款隔离式稳压SNJ54LS14J模块,可从未稳压的宽范围输入,生成隔离式DC输出。这些新ChiPDCM在单个ChiP中支持多种输入电压范围,可简化电源系统设计。它们在不到1.5平方英寸的ChiP封装中提供高达93%的效率,可为工程师提供业界的密度及效率。

  半导体分立器件为半导体产业的两大分支之一,属于国家重点鼓励行业,为助力行业深度发展,国家有关部门相继出台了多项产业扶持政策,为我国半导体分立器件企业的发展营造了良好的政策环境。2009年的《电子信息产业调整和振兴规划》,强调要加快电子元器件产品升级;同年,发改委、工信部联合下发的《电子信息产业技术进步和技术改造方向》指出,在半导体发光二极管领域,将重点发展大功率、高亮度半导体发光二极管的外延片和芯片制应用领域广阔,下游产业发展带动市场需求拉升。

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